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IRLML6401TRPBF:12V單通道P溝道功率MOSFET

發(fā)布時間:2024-11-08 09:15:26     瀏覽:367

IRLML6401TRPBF:12V單通道P溝道功率MOSFET

  IRLML6401TRPBF是由英飛凌科技推出的12V單P溝道功率MOSFET,采用微型3(SOT-23)封裝,是專為低功耗和低頻率應用設計的高效能半導體器件。以下是該產(chǎn)品的詳細特點和優(yōu)勢:

  產(chǎn)品特點:

  平面單元結(jié)構(gòu):提供寬廣的安全工作區(qū)域(SOA),增強了器件的可靠性和耐用性。

  廣泛可用性:針對分銷合作伙伴優(yōu)化,確保了產(chǎn)品的可獲得性。

  JEDEC標準認證:按照電子行業(yè)標準進行產(chǎn)品認證,保證了產(chǎn)品的質(zhì)量和一致性。

  硅片優(yōu)化:特別優(yōu)化用于低于100kHz的開關(guān)應用,確保了在低頻條件下的高性能。

  行業(yè)標準封裝:采用行業(yè)標準的表面貼裝封裝,便于自動化裝配和設計替換。

  產(chǎn)品優(yōu)勢:

  增強的魯棒性:設計上注重提高器件的耐用性和可靠性。

  廣泛的分銷網(wǎng)絡:確保了產(chǎn)品的廣泛可獲得性。

  行業(yè)標準的認證:提供了符合行業(yè)標準的認證水平。

  低頻應用中的高性能:在低頻開關(guān)應用中表現(xiàn)出色。

  直接替換能力:標準的引腳排列允許直接替換其他兼容器件。

  潛在應用:

  DC開關(guān):適用于直流電路中的開關(guān)控制。

  負載開關(guān):用于控制電氣負載的開啟和關(guān)閉。

  技術(shù)規(guī)格:

  最大漏極電流(@25°C):-4.3 A

  潮濕敏感度等級:1級

  安裝類型:表面貼裝(SMD)

  最大功耗(@TA=25°C):1.3 W

  封裝類型:SOT-23

  極性:P溝道

  門極電荷(@4.5V):典型值10 nC

  門極-漏極電荷:2.6 nC

  導通電阻(@4.5V):最大50 mΩ

  熱阻(JA):最大100 K/W

  特色功能:小功率

  最大結(jié)溫:150°C

  最大漏源電壓:-12 V

  門源電壓閾值:最小-0.55 V,最大-0.95 V至-0.4 V

  門極電壓:最大8 V

  IRLML6401TRPBF以其高性能、可靠性和易于集成的特點,非常適合用于各種低功耗和低頻率的開關(guān)應用,如電源管理、電機控制和電池供電設備。深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,優(yōu)勢分銷Infineon英飛凌部分產(chǎn)品線,快速交付,歡迎聯(lián)系。

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