Solitron 2N5911/2N5912雙通道N溝道JFET
發(fā)布時(shí)間:2024-06-18 09:08:59 瀏覽:494
Solitron 2N5911/2N5912雙通道N溝道JFET是專(zhuān)為寬帶差分放大器而設(shè)計(jì)的器件。TO-78封裝密封,適用于軍事應(yīng)用,具有定制規(guī)格和可選的匹配和包裝選項(xiàng)。TX、TXV以及S級(jí)篩選都可通過(guò)咨詢(xún)工廠(chǎng)獲得。
其主要特點(diǎn)包括:
1. 低噪聲水平:4.0 nV/√Hz (典型值)
2. 低漏電流:小于10pA (典型值)
3. 低輸入電容:5.0 pF(典型值)
這些特點(diǎn)使得Solitron 2N5911/2N5912在需要高性能、低噪聲以及低漏電流的廣泛應(yīng)用中具有出色表現(xiàn),特別適用于要求高度精確的寬帶差分放大器的場(chǎng)合。如果需要更多信息或定制需求,建議直接聯(lián)系工廠(chǎng)進(jìn)行咨詢(xún)。
PARAMETER | SYMBOL | VALUE | UNIT |
Reverse Gate Source and Gate Drain Voltage | V RS | -25 | V |
Continuous Forward Gate Curren | '6 | 50 | mA |
Continuous Device Power Dissipation | P? | 250 | mW |
Power Derating | P | 4.3 | mW/℃ |
Operating Junction Temperature | 工 | -55 to 150 | ℃ |
Storage Temperature | SIG | -65 to 200 | ℃ |
Solitron 是世界領(lǐng)先的標(biāo)準(zhǔn) QPL JAN/JANTX/JANTXV 小信號(hào) JFET 制造商。Solitron 的 JFET 產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻、低電容、良好的隔離和快速開(kāi)關(guān)等特點(diǎn)。高輻射耐受性和空間級(jí)處理使其成為衛(wèi)星應(yīng)用的理想選擇。立維創(chuàng)展授權(quán)代理Solitron 產(chǎn)品,價(jià)格優(yōu)惠,歡迎咨詢(xún)。
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