Solitron 2N5114/2N5115/2N5116 P溝道JFET
發(fā)布時間:2024-05-21 09:31:52 瀏覽:828
2N5114/2N5115/2N5116是P溝道JFET晶體管,在應(yīng)用中具有以下特點和規(guī)格:
- 封裝:T0-18
- 最大反向柵極源極電壓(Vgss):30V
- 最大柵極電流(Igs):-90mA(2N5114)、-60mA(2N5115)、-25mA(2N5116)
- 漏源電阻(RDS(on)):75Ω(2N5114)、100Ω(2N5115)、175Ω(2N5116)
- 符合JAN/JANTX/JANTXV標(biāo)準(zhǔn)
- 符合MIL-PRF-19500/476F標(biāo)準(zhǔn)
- 低導(dǎo)通電阻
- 可直接從TTL邏輯或CMOS切換
- 高關(guān)斷隔離
- 提供S級等效篩選選項
- 重量輕
- MicroSemi的第二來源
規(guī)格參數(shù):
Part Number Package 19500/ Breakdown Voltage Current R 150N | |||||||||
2N5114 | TO-18 | 476 | 30V | -90mA | 75Ω | ||||
2N5115 | TO-18 | 476 | 30V | -60mA | 1002 | ||||
2N5116 | TO-18 | 476 | 30V | 25mA | 175g | ||||
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS | |||||||||
Gate-Source Voltage | 30V | Storage Temperature | 65 to 200℃ | ||||||
Gate Current | 50mA | Operating Junction Temperature | -65 to 200℃ | ||||||
Lead Temperature 1/16 from case,10 sec | 300℃ | Power Dissipation Derating | 500mM 3mW°C@T=25℃ |
訂購信息:
JAN2N5115 | JANTX2N5115 | JANTXV2N5115 | ||||||
JAN2N5116 | JANTX2N5116 | JANTXV2N5116 |
這些晶體管適用于需要反相開關(guān)或“虛擬接地”開關(guān)進入運算放大器的反相輸入的場合,可處理±10VAC信號,無需驅(qū)動器,僅需+5V邏輯(TTL或CMOS)。在工作時請注意絕對最大額定值,如柵極-源極電壓、存儲溫度、柵極電流、工作結(jié)溫、引線溫度、功耗。
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