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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢(shì)。特別是高臨界電場(chǎng)使得GaN-HEMTs成為功率半導(dǎo)體器件的研究熱點(diǎn)。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關(guān)。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率，降低了系統(tǒng)的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。

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  PEX8733 PCIe交換機(jī)Broadcom 2023-07-03 16:55:49

  Broadcom?的PEX8733設(shè)備提供多服務(wù)器PCI Express交換功能，使用戶通過(guò)可擴(kuò)展性的、高帶寬、無(wú)堵塞互連將數(shù)臺(tái)主機(jī)連接到這些各自端點(diǎn)，以連接上各種應(yīng)用系統(tǒng)，包括服務(wù)器、存儲(chǔ)、通信和圖型平臺(tái)。PEX8733特別適合扇出、聚合和點(diǎn)到點(diǎn)流量模式。