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  SD11906/SD11907/SD11956和SD11957 1200V碳化硅SiC半橋功率模塊 2024-02-20 11:46:51

  Solitron Devices 推出的 SD11906、SD11907、SD11956 和 SD11957 1200V 碳化硅 (SiC) 半橋功率模塊，以最大限度地發(fā)揮 SiC 的優(yōu)勢，具有獨特的穩(wěn)健、簡單且具有成本效益的模塊格式。37mm x 25mm x 9mm 的外形只是競爭模塊尺寸和重量的一小部分。這種集成格式可最大限度地提高功率密度，同時通過引腳配置將環(huán)路電感降至最低，從而實現(xiàn)簡單的電源總線。

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  Solitron Devices SMF460 650V N溝道功率MOSFET 2024-12-30 08:51:50

  Solitron Devices SMF460 MOSFET適用于高電壓、高電流應用（如電源轉換器、電機驅動器和高功率開關電路），關鍵特性包括連續(xù)漏極電流10A、導通電阻300mΩ、內置快速恢復二極管、能承受高能量脈沖等；封裝為TO-254密封封裝，有背面隔離，可進行JANTX、JANTXV篩選；絕對最大額定值、電氣規(guī)格和熱阻等方面有一系列具體參數(shù)，如漏源電壓650V、結溫范圍-55°C至150°C、熱阻1.08°C/W等。